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                “突破摩爾定律”半導(dǎo)體重大突破硅原料將被取代生產(chǎn)待定

                中打破了摩爾定律,在新的半導(dǎo)體研究領(lǐng)域取得了巨大的突破。利用一種新的超薄電極材料,實現(xiàn)了二維半導(dǎo)體電子與邏輯電路的自由控制。此外,南洋理工大學(xué)、北京大學(xué)、南京大學(xué)等高校的科研隊伍,也在二維半導(dǎo)體的整合與成長上取得了突破性進展。

                中國的本土企業(yè)也在努力地積累和研究相關(guān)的技術(shù),這些技術(shù)將會在將來獲益。首先,我們要說的是,摩爾定律是什么,為什么它會對半導(dǎo)體產(chǎn)生如此大的影響。戈登·摩爾,英特爾的共同創(chuàng)始人,提出了著名的摩爾定律:每18到24個月,集成電路上的元件數(shù)目就會翻一番,而其性能也會翻一番。這就意味著,在每一塊硅片上,晶體管的體積會變得更小,也會變得更多。但是今天,一塊指甲蓋大小的晶體管可以容納一百億個,而硅晶體管也已經(jīng)接近了它的物理極限。摩爾定律的繼續(xù),要求新的材料,新的裝置。

                目前,人們對二維半導(dǎo)體的前景非??春茫驗閭鹘y(tǒng)的硅片晶體是以三維塊狀半導(dǎo)體為基礎(chǔ),使得電子難以透過納米尺寸的通道。然而,由于二維材料的存在,使得晶體管的體積變得更小,變成了一種更容易讓電荷在其中自由流動的超薄晶體管。

                由光敏材料及器件研究中心的黃博士、物理學(xué)院的李金龍教授帶領(lǐng)的一個研究團隊,成功地利用了一種新型的超薄電極材料(Cl-SnSe2),實現(xiàn)了二維半導(dǎo)體電子及邏輯電路的自由控制。

                該研究成功地解決了費米能級釘扎問題,使得傳統(tǒng)的二維半導(dǎo)體器件難以完成互補邏輯電路,只顯示 N型或 P型器件的性能。利用這種新的電極材料,可以實現(xiàn) N型、 P型的功能,從而形成一種高性能、低功耗、互補邏輯的邏輯電路。

                黃教授預(yù)測,這種新型的二維電極材料將會是很薄的,具有很高的透明度和彈性。所以,他們可以應(yīng)用到下一代的可彎曲的、透明的半導(dǎo)體裝置上。南洋理工大學(xué),北京大學(xué),清華大學(xué)和北京量子資訊科技研究院的研究者們,近期展示了一種將單晶體滴定在二維半導(dǎo)體上的方法,即高 K鈣鈦礦的一種氧化物。該技術(shù)將為新的晶體管和電子器件的發(fā)展提供新的可能。

                報告中提及了一種叫做“一種鈣鈦礦”的單晶滴定鍶,以前人們已經(jīng)發(fā)現(xiàn),用一種具有不同的原子結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦氧化物難以實現(xiàn)。但是,這個研究小組使用了一種聰明的方法,它能夠超越這個極限,使材料的組合幾乎是無限的。

                研究者稱,他們發(fā)明的晶體管可以用來制作互補的 MOS電路,同時也可以降低功率消耗。在將來,這些裝置將會被大量生產(chǎn),用以研發(fā)低功率的邏輯和微型晶片。前不久,王欣然教授和南京大學(xué)王金蘭教授的研究小組共同宣布,世界上第一個大規(guī)模、均勻的二層二硫化鉬,這是目前已知的最好的二維半導(dǎo)體材料之一,薄膜的外延生長。

                東南大學(xué)教授馬亮說:“我們的研究成果,不但打破了二硫化鉬薄膜的層數(shù)可控生長技術(shù)瓶頸,開發(fā)出了性能最高的二硫化鉬膜器件,并將其應(yīng)用到其它二維材料的外延上,為以后的硅半導(dǎo)體器件的發(fā)展開辟了新的思路?!?/p>

                在二硫化鉬的研究中,二硫化鉬的載流子遷移率和驅(qū)動電流都比單層二硫化鉬高,在電子設(shè)備的應(yīng)用中占有很大的優(yōu)勢。然而,采用常規(guī)方法制備的二硫化鉬雙層膜存在著層數(shù)均勻性差、膜不連續(xù)性等問題,研究小組提出了一種新型的基板誘導(dǎo)成核和“齊頭并進”的新型生長機理。

                值得一提的是,芯片制造商們,也在積極地進行著新的研究。英特爾與臺積電將于2021年12月舉行的 IEEE國際電子裝置大會上,為解決二維半導(dǎo)體高阻、低電流問題提供了解決辦法。在半導(dǎo)體與金屬的接觸處,存在著鋒利的電阻尖,這是目前二維半導(dǎo)體面臨的最大阻礙。

                臺積電與英特爾公司采用了半金屬銻作為接觸材料,以減少半導(dǎo)體與觸頭間的能量壁壘,以達到低阻性。從2019年起,臺積電一直在尋求一種可以替代硅的二維材料。臺積電在今年五月率先宣稱,他們已經(jīng)找到了半金屬鉍可以在很低的電阻下,成為二維半導(dǎo)體的粘結(jié)劑。但是鉍的熔點太低,不能承受后續(xù)的晶片高溫處理。

                南京大學(xué)電子工程學(xué)院王欣然博士團隊,著眼于中國國內(nèi)市場的發(fā)展,在2021年九月,天馬微電子(深天馬)與天馬公司的合作,為今后 Micro LED技術(shù)的發(fā)展開辟了一條嶄新的技術(shù)路徑。

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