據(jù)《PC watch》6月15日報道，鎧俠目前正在開發(fā)7級單元的3D NAND閃存，暫時只能在實驗室的低溫條件下實現(xiàn)。目前鎧俠并未為7級單元的3D NAND閃存命名。
在今年的IMW 2022會議上，鎧俠介紹了此項技術(shù)相關(guān)的研究成果。早在2019年，鎧俠就開始研究5級單元的PLC 3D NAND閃存。在去年的IMW 2021上，鎧俠就展示過6級單元的HLC 3D NAND閃存?？梢哉f，本次公布的結(jié)果是本研究進一步推進的結(jié)果。
而美光研究了3D NAND閃存技術(shù)的縮放技術(shù)。美光認為，提高3D NAND閃存密度和容量的最有效方法是垂直于硅片表面堆疊存儲單元。目前美光已經(jīng)開發(fā)并量產(chǎn)了176層和大量堆疊單元的3D NAND閃存。
在IMW 2022之前，美光在投資者簡報會上宣布，已開發(fā)出232層3D NAND閃存技術(shù)。簡單計算，存儲密度是176層的1.32倍。
另據(jù)超能網(wǎng)消息，目前市場上常見的4級單元的QLC 3D NAND閃存，電壓變化也就16級，顯然7級單元的3D NAND閃存的難度要大得多。自2000年二級單元的MLC 3D NAND閃存出現(xiàn)以來，主控芯片變得越來越復雜，開發(fā)和制造成本也越來越高。即便閃存芯片的價格下降了，主控芯片的價格上漲也會抹掉成本優(yōu)勢。
當前，NAND閃存制造商們一直在嘗試增加每個單元存儲的位數(shù)來提高存儲密度，《PC watch》報道指出，實現(xiàn)3D NAND閃存的技術(shù)將變得更加困難，但尚未看到極限，存儲密度的提高還是值得期待的。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
