2022年6月22日消息，三星電子公司預(yù)計(jì)將在下周宣布大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around（GAA）技術(shù)之上，與現(xiàn)有的FinFET工藝相比，該技術(shù)將使芯片面積減少45%，性能提高30%，功耗降低50%。三星3納米量產(chǎn)時(shí)間早于臺(tái)積電量。
作為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，臺(tái)積電計(jì)劃繼續(xù)將 FinFET 技術(shù)應(yīng)用到3納米工藝中，并從2納米工藝開(kāi)始引入 GAA 技術(shù)。如果按照三星電子的計(jì)劃，它將成為全球第一家量產(chǎn)3納米半導(dǎo)體的代工廠。最初，臺(tái)積電計(jì)劃在2022年7月將3納米工藝應(yīng)用于英特爾的CPU 和 GPU的量產(chǎn)。
為什么三星要提前3納米芯片量產(chǎn)計(jì)劃呢？
觀點(diǎn)分析：
1、提前量產(chǎn)，有利于搶先占據(jù)高端芯片市場(chǎng)份額。三星與臺(tái)積電的市場(chǎng)份額差距加大，臺(tái)積電在2021年第二季度占全球代工市場(chǎng)的58%，三星的份額為14%。根據(jù)市場(chǎng)研究公司 Counterpoint Research 的數(shù)據(jù)，第一季度，臺(tái)積電的市場(chǎng)份額為55%，而三星為17%。
2、有利于開(kāi)拓新型技術(shù)戰(zhàn)爭(zhēng)，爭(zhēng)奪技術(shù)優(yōu)勢(shì)主動(dòng)權(quán)。三星電子和臺(tái)積電都在生產(chǎn)基于 FinFet 技術(shù)的5納米芯片。然而現(xiàn)階段從市場(chǎng)反映來(lái)看，臺(tái)積電在良率和性能方面占據(jù)上風(fēng)。
