器件
復旦大學高分子基纖維狀能源器件研究領域取得重要進展
在國家自然科學基金委（資助號20904006、91027025、21225417）等項目的資助下，復旦大學彭教授課題組在高性能纖維狀新能源高分子復合材料和器件領域取得了一系列重要突…
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一種研究單層二硫化鉬帶結構的新模型
近期，研究人員提出了一個分析帶計算（analytical band calculation, ABC）模型來研究單層二硫化鉬的帶結構。對于二維（2D）材料來說，一個半導體層的厚度約…
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10 Gbit每秒！單極性量子光電子在9μm波長下進行自由空間數(shù)據(jù)傳輸
江蘇激光聯(lián)盟導讀： 比特率超過10 Gbit s 1的自由空間光學數(shù)據(jù)傳輸通過在室溫下使用單極性量子光電系統(tǒng)在9μm波長下進行演示，該系統(tǒng)由量子級聯(lián)激光器、調制器和量子級聯(lián)檢測器組…
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中國科大在InGaAs單光子探測芯片設計制造方面取得重要進展
中國科學技術大學光學與光學工程系王亮教授課題組設計并制備的InGaAs單光子探測器芯片取得重大進展。該研究團隊通過設計金屬—分布式布拉格反射器優(yōu)化單光子探測器芯片的光學性能，完成低…
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中科院狄增峰研究團隊在晶圓級范德華接觸陣列研究獲進展
近日，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室狄增峰研究團隊基于鍺基石墨烯襯底開發(fā)出晶圓級金屬電極陣列轉印技術，在二維材料與金屬電極的大面積無損范德華集成研究…
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中科大在InGaAs單光子探測芯片取得重要進展
澎湃新聞記者 王蕙蓉 近日，中國科學技術大學光學與光學工程系教授王亮課題組設計并制備的InGaAs（砷化銦鎵）單光子探測器芯片取得重要進展。 前述團隊通過設計金屬—分布式布拉格反射…
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晶圓級范德華接觸陣列研究獲進展
來源：【中國科學院】 近日，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室狄增峰研究團隊基于鍺基石墨烯襯底開發(fā)出晶圓級金屬電極陣列轉印技術，在二維材料與金屬電極的大…
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第三代半導體投資：碳化硅如何引領“芯”浪潮？
來源：【科學網(wǎng)】 半導體作為眾多高新產業(yè)的關鍵核心材料，近年來正成為市場聚焦的新賽道。據(jù)不完全統(tǒng)計，2022年上半年中國半導體行業(yè)共有180余起投融資事件，其中第三代半導體作為全新…
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片上拓撲彩虹器件研究獲進展
來源：【科學網(wǎng)】 近日，暨南大學光子技術研究院研究員丁偉團隊和北京理工大學教授路翠翠團隊、北京大學教授胡小永團隊合作，在片上拓撲彩虹器件研究中取得重要進展，首次在納米尺度的芯片上觀…
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太赫茲量子器件光電測試技術與系統(tǒng)
摘要 光電測試技術是太赫茲輻射研究的重要基礎技術。文章首先介紹兩種太赫茲量子器件的工作原理和最新進展，隨后主要介紹太赫茲量子器件在脈沖激光功率測量技術、快速調制與直接探測技術、激光…