近日，三星在半導(dǎo)體制程工藝和NAND Flash閃存領(lǐng)域消息不斷。
擴(kuò)產(chǎn)4納米，Q4每月新增產(chǎn)能2萬片
繼今年6月?lián)屜刃?span id="llbfmkn" class="wpcom_tag_link">量產(chǎn)3納米工藝之后，市場又有消息稱三星計劃在第四季度擴(kuò)產(chǎn)4納米制程。
據(jù)韓國媒體infostockdaily報道，三星4納米在良率顯著提升下，正著手?jǐn)U產(chǎn)，預(yù)計今年第4季每月新增上看2萬片產(chǎn)能。
報道稱，三星晶圓代工4納米制程因為良率提升至約六成，因此隨客戶需求提升而決議擴(kuò)產(chǎn)，并規(guī)劃在4納米豪擲約5萬億韓元投資，欲爭取更多高通、超威、英偉達(dá)等大廠代工訂單。
業(yè)界指出，三星集團(tuán)晶圓代工產(chǎn)能過往約六成提供自家芯片生產(chǎn)，其余承接委外訂單，今年持續(xù)積極擴(kuò)產(chǎn)，并擴(kuò)大承接晶圓代工訂單，將自家芯片產(chǎn)能占比降至五成，借此在存儲器市況逆風(fēng)下，提升半導(dǎo)體事業(yè)獲利。
對于相關(guān)消息，三星表示，無法確認(rèn)產(chǎn)量和投資增加問題。
韓國媒體BusinessKorea報導(dǎo)，三星今年將發(fā)布236層堆疊NAND Flash快閃存儲器產(chǎn)品，還計劃本月開設(shè)一個新的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)更先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品研發(fā)。
當(dāng)前存儲器制造商不斷增加NAND Flash堆疊層數(shù)，以求更高效益。例如，西數(shù)與鎧俠計劃2022年底前開始量產(chǎn)162層閃存產(chǎn)品。未來，雙方還將發(fā)力200+層閃存技術(shù)，并計劃2032年之前陸續(xù)推出300+層以上、400+層與500+層閃存技術(shù)。
美光科技已于今年7月宣布開發(fā)全球首款232層堆疊NAND Flash，產(chǎn)品現(xiàn)已在美光新加坡工廠量產(chǎn)。未來，美光還將發(fā)力2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)。
今年8月初，SK海力士也宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存，并計劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。
至于三星，盡管其作為全球最大的NAND Flash廠商，目前市占率高達(dá)35%，但研發(fā)記錄還停留在176層。迫于競爭對手的壓力，三星計劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價格以及性能競爭力，將NAND Flash堆疊層數(shù)增加60層。
不過，三星236層堆疊NAND Flash推出的具體時間，還有待后續(xù)關(guān)注。
